货期: 8周-10周
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥554.817194 | ¥5548.17 |
30 | ¥531.615221 | ¥15948.46 |
100 | ¥481.730978 | ¥48173.10 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HyperFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 27 ns
漏极电流 72 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 580 W
漏源电阻 55 mOhms
上升时间 70 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 102 ns
典型接通延迟时间 61 ns
漏源击穿电压 500 V
高度 9.65 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0IXFE80N50
型号:IXFE80N50
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
10+: | ¥554.817194 |
30+: | ¥531.615221 |
100+: | ¥481.730978 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00