货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.108894 | ¥5.11 |
10 | ¥3.576227 | ¥35.76 |
100 | ¥1.808051 | ¥180.81 |
500 | ¥1.474852 | ¥737.43 |
1000 | ¥1.094177 | ¥1094.18 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.1 ns, 3.1 ns
正向跨导(Min) 200 mS, 200 mS
上升时间 3.3 ns, 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 5.5 ns, 5.5 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 2N7002DW H6327 SP000917596
单位重量 7.500 mg
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02N7002DWH6327XTSA1
型号:2N7002DWH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.108894 |
10+: | ¥3.576227 |
100+: | ¥1.808051 |
500+: | ¥1.474852 |
1000+: | ¥1.094177 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.11