货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.600837 | ¥11.60 |
10 | ¥10.227677 | ¥102.28 |
100 | ¥7.842403 | ¥784.24 |
500 | ¥6.199819 | ¥3099.91 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
购物车
0ZVNL120GTA
型号:ZVNL120GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.600837 |
10+: | ¥10.227677 |
100+: | ¥7.842403 |
500+: | ¥6.199819 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.60