
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.378375 | ¥7.38 |
| 10 | ¥5.998347 | ¥59.98 |
| 100 | ¥4.085434 | ¥408.54 |
| 500 | ¥3.064486 | ¥1532.24 |
| 1000 | ¥2.298365 | ¥2298.36 |
| 2000 | ¥2.1068 | ¥4213.60 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 118 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 10.8 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
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0SSM6K211FE,LF
型号:SSM6K211FE,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.378375 |
| 10+: | ¥5.998347 |
| 100+: | ¥4.085434 |
| 500+: | ¥3.064486 |
| 1000+: | ¥2.298365 |
| 2000+: | ¥2.1068 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.38