货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.49902 | ¥24.50 |
10 | ¥20.550355 | ¥205.50 |
100 | ¥16.623306 | ¥1662.33 |
500 | ¥14.776512 | ¥7388.26 |
1000 | ¥12.652448 | ¥12652.45 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP11N80E-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP11N80E-GE3
型号:SIHP11N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.49902 |
10+: | ¥20.550355 |
100+: | ¥16.623306 |
500+: | ¥14.776512 |
1000+: | ¥12.652448 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥24.50