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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.380245 | ¥4140.73 |
6000 | ¥1.307647 | ¥7845.88 |
9000 | ¥1.210751 | ¥10896.76 |
30000 | ¥1.198778 | ¥35963.34 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 14.5 A
漏源电阻 5.4 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 42.3 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 12 mg
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0DMN2008LFU-7
型号:DMN2008LFU-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.380245 |
6000+: | ¥1.307647 |
9000+: | ¥1.210751 |
30000+: | ¥1.198778 |
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