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DMN2008LFU-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2008LFU-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.712549 5137.65
6000 1.594447 9566.68
15000 1.535396 23030.94
30000 1.496074 44882.22

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 14.5 A

漏源电阻 5.4 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 42.3 nC

耗散功率 1.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 12 mg

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DMN2008LFU-7

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型号:DMN2008LFU-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥1.712549
6000+: ¥1.594447
15000+: ¥1.535396
30000+: ¥1.496074

货期:1-2天

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