货期:(7~10天)
起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥0.802862 | ¥4.01 |
50 | ¥0.613291 | ¥30.66 |
150 | ¥0.578471 | ¥86.77 |
500 | ¥0.543652 | ¥271.83 |
2500 | ¥0.528175 | ¥1320.44 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.6 ns
正向跨导(Min) 0.7 mS
上升时间 8.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30.3 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN3190LDW-7
型号:DMN3190LDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
5+: | ¥0.802862 |
50+: | ¥0.613291 |
150+: | ¥0.578471 |
500+: | ¥0.543652 |
2500+: | ¥0.528175 |
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