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DMN2008LFU-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2008LFU-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
渠道:
digikey

库存 :9997

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.858036 8.86
10 7.700778 77.01
100 5.330539 533.05
500 4.454449 2227.22
1000 3.791097 3791.10

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 14.5 A

漏源电阻 5.4 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 42.3 nC

耗散功率 1.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 12 mg

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DMN2008LFU-7

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型号:DMN2008LFU-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:9997 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥8.858036
10+: ¥7.700778
100+: ¥5.330539
500+: ¥4.454449
1000+: ¥3.791097

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