FQD10N20LTM
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- 制造商编号：
- FQD10N20LTM
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：2480
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.873825 | ￥15.87 |
| 10 | ￥14.229751 | ￥142.30 |
| 100 | ￥11.098923 | ￥1109.89 |
| 500 | ￥9.168551 | ￥4584.28 |
| 1000 | ￥7.238324 | ￥7238.32 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 95 ns
正向跨导（Min） 9.6 S
上升时间 150 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
FQD10N20LTM 同类别型号
注
FQD10N20LTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQD10N20LTM
数据手册PDF。
FQD10N20LTM
型号：FQD10N20LTM
品牌：ON
供货：锐单
库存：2480 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.873825 |
| 10+： | ￥14.229751 |
| 100+： | ￥11.098923 |
| 500+： | ￥9.168551 |
| 1000+： | ￥7.238324 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.87