NTZD3154NT1G
库存 ：447826
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.048396 | ￥5.05 |
| 10 | ￥3.42679 | ￥34.27 |
| 100 | ￥2.303905 | ￥230.39 |
| 500 | ￥1.779791 | ￥889.90 |
| 1000 | ￥1.605392 | ￥1605.39 |
| 2000 | ￥1.456081 | ￥2912.16 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 570 mA
漏源电阻 550 mOhms, 550 mOhms
栅极电压 - 7 V, + 7 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 8 ns
正向跨导（Min） 1 S, 1 S
上升时间 4 ns, 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 6 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
NTZD3154NT1G 同类别型号
注
NTZD3154NT1G
型号：NTZD3154NT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：447826 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.048396 |
| 10+： | ￥3.42679 |
| 100+： | ￥2.303905 |
| 500+： | ￥1.779791 |
| 1000+： | ￥1.605392 |
| 2000+： | ￥1.456081 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.05