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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Standard Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH16P20
型号:IXTH16P20
品牌:IXYS
供货:锐单
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