货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.169501 | ¥7.17 |
10 | ¥6.13116 | ¥61.31 |
100 | ¥4.578593 | ¥457.86 |
500 | ¥3.597853 | ¥1798.93 |
1000 | ¥2.78016 | ¥2780.16 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E130BN
购物车
0RQ3E130BNTB
型号:RQ3E130BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.169501 |
10+: | ¥6.13116 |
100+: | ¥4.578593 |
500+: | ¥3.597853 |
1000+: | ¥2.78016 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.17