SI3590DV-T1-E3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI3590DV-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.811974 | ￥5435.92 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.7 A
漏源电阻 77 mOhms, 170 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 3 nC, 3.8 nC
耗散功率 830 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 20 ns
正向跨导（Min） 10 S, 5 S
上升时间 12 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3590DV-T1
单位重量 20 mg
SI3590DV-T1-E3 同类别型号
注
SI3590DV-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI3590DV-T1-E3
数据手册PDF。
SI3590DV-T1-E3
型号：SI3590DV-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.811974 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00