货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥61.944289 | ¥61.94 |
10 | ¥55.599623 | ¥556.00 |
100 | ¥45.549854 | ¥4554.99 |
500 | ¥38.7762 | ¥19388.10 |
1000 | ¥32.702771 | ¥32702.77 |
2000 | ¥31.067604 | ¥62135.21 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 155 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK20J60W,S1VE
型号:TK20J60W,S1VE
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥61.944289 |
10+: | ¥55.599623 |
100+: | ¥45.549854 |
500+: | ¥38.7762 |
1000+: | ¥32.702771 |
2000+: | ¥31.067604 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥61.94