货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥41.802867 | ¥41.80 |
10 | ¥37.763424 | ¥377.63 |
100 | ¥31.267228 | ¥3126.72 |
500 | ¥27.226817 | ¥13613.41 |
1000 | ¥23.713651 | ¥23713.65 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 185 nC
耗散功率 -
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP180N10T2
型号:IXFP180N10T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥41.802867 |
10+: | ¥37.763424 |
100+: | ¥31.267228 |
500+: | ¥27.226817 |
1000+: | ¥23.713651 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.80