货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.9997 | ¥21.00 |
100 | ¥15.46978 | ¥1546.98 |
500 | ¥13.229811 | ¥6614.91 |
2500 | ¥11.129841 | ¥27824.60 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP250NPBF SP001554946
单位重量 6 g
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0IRFP250NPBF
型号:IRFP250NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.9997 |
100+: | ¥15.46978 |
500+: | ¥13.229811 |
2500+: | ¥11.129841 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.00