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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 228 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 253 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0BUK6C2R1-55C,118
型号:BUK6C2R1-55C,118
品牌:Nexperia
供货:锐单
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