
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.347947 | ¥8.35 |
| 10 | ¥7.142133 | ¥71.42 |
| 100 | ¥5.337386 | ¥533.74 |
| 500 | ¥4.193585 | ¥2096.79 |
| 1000 | ¥3.240329 | ¥3240.33 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 11.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.4 ns
典型接通延迟时间 8.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E130GN
单位重量 771.020 mg
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0RS1E130GNTB
型号:RS1E130GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.347947 |
| 10+: | ¥7.142133 |
| 100+: | ¥5.337386 |
| 500+: | ¥4.193585 |
| 1000+: | ¥3.240329 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.35