货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.280765 | ¥7.28 |
10 | ¥6.229099 | ¥62.29 |
100 | ¥4.655068 | ¥465.51 |
500 | ¥3.657487 | ¥1828.74 |
1000 | ¥2.826094 | ¥2826.09 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 11.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.4 ns
典型接通延迟时间 8.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E130GN
单位重量 771.020 mg
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0RS1E130GNTB
型号:RS1E130GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
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1+: | ¥7.280765 |
10+: | ¥6.229099 |
100+: | ¥4.655068 |
500+: | ¥3.657487 |
1000+: | ¥2.826094 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.28