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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 84 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 59 S
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 4.7 mm
长度 10.2 mm
宽度 9.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0FDB0260N1007L
型号:FDB0260N1007L
品牌:ON
供货:锐单
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