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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.439298 | ¥1317.89 |
6000 | ¥0.395346 | ¥2372.08 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 650 mA, 450 mA
漏源电阻 200 mOhms, 360 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV, 2.6 V
栅极电荷 1.4 nC, 1.3 nC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18.8 ns, 19 ns
上升时间 3.5 ns, 8.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns, 5.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMC3400SDW-7
型号:DMC3400SDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥0.439298 |
6000+: | ¥0.395346 |
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