货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥92.13857 | ¥92.14 |
200 | ¥35.666544 | ¥7133.31 |
500 | ¥34.41161 | ¥17205.81 |
1000 | ¥33.784142 | ¥33784.14 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 84 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 59 S
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 4.7 mm
长度 10.2 mm
宽度 9.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0FDB0260N1007L
型号:FDB0260N1007L
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥92.13857 |
200+: | ¥35.666544 |
500+: | ¥34.41161 |
1000+: | ¥33.784142 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥92.14