货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥53.50217 | ¥53.50 |
10 | ¥48.357467 | ¥483.57 |
100 | ¥40.034146 | ¥4003.41 |
500 | ¥34.861083 | ¥17430.54 |
1000 | ¥30.362927 | ¥30362.93 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH110N10P
型号:IXFH110N10P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥53.50217 |
10+: | ¥48.357467 |
100+: | ¥40.034146 |
500+: | ¥34.861083 |
1000+: | ¥30.362927 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥53.50