货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.943574 | ¥9.94 |
10 | ¥8.712466 | ¥87.12 |
100 | ¥6.681136 | ¥668.11 |
500 | ¥5.281932 | ¥2640.97 |
1000 | ¥4.225547 | ¥4225.55 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.7 A
漏源电阻 77 mOhms, 170 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 3 nC, 3.8 nC
耗散功率 830 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 20 ns
正向跨导(Min) 10 S, 5 S
上升时间 12 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3590DV-T1
单位重量 20 mg
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0SI3590DV-T1-E3
型号:SI3590DV-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.943574 |
10+: | ¥8.712466 |
100+: | ¥6.681136 |
500+: | ¥5.281932 |
1000+: | ¥4.225547 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.94