SI4463CDY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4463CDY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CHAN 2.5V SO8
- 渠道：
- digikey
库存 ：10046
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.858439 | ￥12.86 |
| 10 | ￥10.515346 | ￥105.15 |
| 100 | ￥8.182254 | ￥818.23 |
| 500 | ￥6.934986 | ￥3467.49 |
| 1000 | ￥5.649427 | ￥5649.43 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 18.6 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 108 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 60 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
SI4463CDY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4463CDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
SI4463CDY-T1-GE3
型号：SI4463CDY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：10046 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.858439 |
| 10+： | ￥10.515346 |
| 100+： | ￥8.182254 |
| 500+： | ￥6.934986 |
| 1000+： | ￥5.649427 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.86