
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.653834 | ¥16.65 |
| 25 | ¥13.174772 | ¥329.37 |
| 100 | ¥11.293418 | ¥1129.34 |
| 500 | ¥10.038437 | ¥5019.22 |
| 1000 | ¥8.595438 | ¥8595.44 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 51 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 66.7 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP3710PBF SP001552026
单位重量 6 g
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0IRFP3710PBF
型号:IRFP3710PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.653834 |
| 25+: | ¥13.174772 |
| 100+: | ¥11.293418 |
| 500+: | ¥10.038437 |
| 1000+: | ¥8.595438 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.65