SIHG33N60E-E3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHG33N60E-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥53.723325 | ￥26861.66 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 98 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 103 nC
耗散功率 278 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
上升时间 43 ns
典型关闭延迟时间 161 ns
典型接通延迟时间 28 ns
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHG33N60E
单位重量 6 g
SIHG33N60E-E3 同类别型号
注
SIHG33N60E-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHG33N60E-E3、查询SIHG33N60E-E3代理商；
SIHG33N60E-E3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHG33N60E-E3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIHG33N60E-E3
替代型号
、SIHG33N60E-E3
数据手册PDF。
SIHG33N60E-E3
型号：SIHG33N60E-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥53.723325 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00