货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥15.90605 | ¥39765.13 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 126 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD100N04S4L-02 SP001238380
单位重量 330 mg
购物车
0IPD100N04S4L02ATMA1
型号:IPD100N04S4L02ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥15.90605 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00