货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥62.733053 | ¥62.73 |
10 | ¥56.647011 | ¥566.47 |
100 | ¥46.900649 | ¥4690.06 |
500 | ¥40.840288 | ¥20420.14 |
1000 | ¥35.570577 | ¥35570.58 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXTH130N20T
型号:IXTH130N20T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥62.733053 |
10+: | ¥56.647011 |
100+: | ¥46.900649 |
500+: | ¥40.840288 |
1000+: | ¥35.570577 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥62.73