
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥51.294058 | ¥51.29 |
| 10 | ¥46.317769 | ¥463.18 |
| 100 | ¥38.348597 | ¥3834.86 |
| 500 | ¥33.393307 | ¥16696.65 |
| 1000 | ¥29.084497 | ¥29084.50 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH130N20T
型号:IXTH130N20T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥51.294058 |
| 10+: | ¥46.317769 |
| 100+: | ¥38.348597 |
| 500+: | ¥33.393307 |
| 1000+: | ¥29.084497 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥51.29