NSVMUN5333DW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.304813 | ￥914.44 |
| 6000 | ￥0.276655 | ￥1659.93 |
| 9000 | ￥0.262133 | ￥2359.20 |
| 15000 | ￥0.245719 | ￥3685.78 |
| 21000 | ￥0.23587 | ￥4953.27 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN, PNP
典型输入电阻器 4.7 kOhms
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
峰值直流集电极电流 500 mA
耗散功率 187 mW
通道数量 2 Channel
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 34 mg
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注
NSVMUN5333DW1T1G
型号：NSVMUN5333DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.304813 |
| 6000+： | ￥0.276655 |
| 9000+： | ￥0.262133 |
| 15000+： | ￥0.245719 |
| 21000+： | ￥0.23587 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00