货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥65.787846 | ¥65.79 |
10 | ¥59.460745 | ¥594.61 |
100 | ¥49.225877 | ¥4922.59 |
500 | ¥42.86524 | ¥21432.62 |
1000 | ¥37.334278 | ¥37334.28 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 4.5 mm
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXFA3N120
型号:IXFA3N120
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥65.787846 |
10+: | ¥59.460745 |
100+: | ¥49.225877 |
500+: | ¥42.86524 |
1000+: | ¥37.334278 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥65.79