货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15.8 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
购物车
0TK16J60W,S1VQ
型号:TK16J60W,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00