货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥42.067261 | ¥42.07 |
10 | ¥37.994294 | ¥379.94 |
100 | ¥31.45347 | ¥3145.35 |
500 | ¥27.389064 | ¥13694.53 |
1000 | ¥23.855013 | ¥23855.01 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 92 nC
耗散功率 460 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 43 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 20.3 mm
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench Power MOSFET
单位重量 5.500 g
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0IXTQ76N25T
型号:IXTQ76N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥42.067261 |
10+: | ¥37.994294 |
100+: | ¥31.45347 |
500+: | ¥27.389064 |
1000+: | ¥23.855013 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥42.07