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IXTA08N100D2-TRL

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTA08N100D2-TRL
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
IXTA08N100D2 TRL
渠道:
digikey

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起订量:800

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
800 19.858471 15886.78

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1 kV

漏极电流 800 mA

漏源电阻 21 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 14.6 nC

耗散功率 60 W

通道模式 Depletion

配置 Single

下降时间 48 ns

正向跨导(Min) 330 mS

上升时间 57 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 34 ns

典型接通延迟时间 28 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 2.500 g

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型号:IXTA08N100D2-TRL

品牌:IXYS

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