NTMD5838NLR2G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥1.781877 | ￥4454.69 |
| 5000 | ￥1.688128 | ￥8440.64 |
| 12500 | ￥1.56309 | ￥19538.63 |
| 25000 | ￥1.547563 | ￥38689.07 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 8.9 A
漏源电阻 20 mOhms, 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 4 ns
正向跨导（Min） 4 S, 4 S
上升时间 23 ns, 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
NTMD5838NLR2G 同类别型号
注
NTMD5838NLR2G
型号：NTMD5838NLR2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥1.781877 |
| 5000+： | ￥1.688128 |
| 12500+： | ￥1.56309 |
| 25000+： | ￥1.547563 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00