货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥43.727999 | ¥43.73 |
10 | ¥39.479375 | ¥394.79 |
100 | ¥32.685659 | ¥3268.57 |
500 | ¥28.462253 | ¥14231.13 |
1000 | ¥24.789633 | ¥24789.63 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 77 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 117 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 Power MOSFET
典型关闭延迟时间 89 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPZA60R099P7 SP001707742
单位重量 6 g
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0IPZA60R099P7XKSA1
型号:IPZA60R099P7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥43.727999 |
10+: | ¥39.479375 |
100+: | ¥32.685659 |
500+: | ¥28.462253 |
1000+: | ¥24.789633 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥43.73