
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥57.298043 | ¥57.30 |
| 10 | ¥51.757133 | ¥517.57 |
| 100 | ¥42.848747 | ¥4284.87 |
| 500 | ¥37.312187 | ¥18656.09 |
| 1000 | ¥32.497721 | ¥32497.72 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH120N15P
型号:IXFH120N15P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥57.298043 |
| 10+: | ¥51.757133 |
| 100+: | ¥42.848747 |
| 500+: | ¥37.312187 |
| 1000+: | ¥32.497721 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥57.30