货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥70.075975 | ¥70.08 |
10 | ¥63.299397 | ¥632.99 |
100 | ¥52.404368 | ¥5240.44 |
500 | ¥45.633111 | ¥22816.56 |
1000 | ¥39.744979 | ¥39744.98 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH120N15P
型号:IXFH120N15P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥70.075975 |
10+: | ¥63.299397 |
100+: | ¥52.404368 |
500+: | ¥45.633111 |
1000+: | ¥39.744979 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥70.08