
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.474616 | ¥12.47 |
| 10 | ¥7.4415 | ¥74.41 |
| 20 | ¥5.20905 | ¥104.18 |
| 50 | ¥3.72075 | ¥186.04 |
| 100 | ¥3.534773 | ¥353.48 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 49 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4227PBF SP001565892
单位重量 2 g
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0IRFB4227PBF
型号:IRFB4227PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.474616 |
| 10+: | ¥7.4415 |
| 20+: | ¥5.20905 |
| 50+: | ¥3.72075 |
| 100+: | ¥3.534773 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.47