货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥25.346739 | ¥25.35 |
10 | ¥22.770962 | ¥227.71 |
100 | ¥18.655885 | ¥1865.59 |
500 | ¥15.881308 | ¥7940.65 |
1000 | ¥13.393902 | ¥13393.90 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 49 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4227PBF SP001565892
单位重量 2 g
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0IRFB4227PBF
型号:IRFB4227PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.346739 |
10+: | ¥22.770962 |
100+: | ¥18.655885 |
500+: | ¥15.881308 |
1000+: | ¥13.393902 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥25.35