货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥30.372826 | ¥30372.83 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 189 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 67 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 63 ns
典型关闭延迟时间 143 ns
典型接通延迟时间 35 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHP38N60EF-GE3
型号:SIHP38N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥30.372826 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00