货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.763492 | ¥5290.48 |
6000 | ¥1.670699 | ¥10024.19 |
9000 | ¥1.546952 | ¥13922.57 |
30000 | ¥1.531583 | ¥45947.49 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 6.2 S
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 32.1 ns
典型接通延迟时间 12.8 ns
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
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0CSD75207W15
型号:CSD75207W15
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.763492 |
6000+: | ¥1.670699 |
9000+: | ¥1.546952 |
30000+: | ¥1.531583 |
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