CSD75207W15
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.44193 | ￥4325.79 |
| 6000 | ￥1.366058 | ￥8196.35 |
| 9000 | ￥1.264874 | ￥11383.87 |
| 30000 | ￥1.252308 | ￥37569.24 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 6.2 S
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 32.1 ns
典型接通延迟时间 12.8 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
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注
CSD75207W15品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD75207W15
数据手册PDF
。
CSD75207W15
型号：CSD75207W15
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.44193 |
| 6000+： | ￥1.366058 |
| 9000+： | ￥1.264874 |
| 30000+： | ￥1.252308 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00