UF3C065080T3S
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- 制造商编号：
- UF3C065080T3S
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：7554
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥115.45628 | ￥115.46 |
| 25 | ￥98.122362 | ￥2453.06 |
| 100 | ￥86.669593 | ￥8666.96 |
| 250 | ￥75.062059 | ￥18765.51 |
| 500 | ￥63.6096 | ￥31804.80 |
| 1000 | ￥60.165721 | ￥60165.72 |
规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 190 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 59 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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UF3C065080T3S 同类别型号
注
UF3C065080T3S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、UF3C065080T3S
数据手册PDF。
UF3C065080T3S
型号：UF3C065080T3S
品牌：SiC
供货：锐单
库存：7554 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥115.45628 |
| 25+： | ￥98.122362 |
| 100+： | ￥86.669593 |
| 250+： | ￥75.062059 |
| 500+： | ￥63.6096 |
| 1000+： | ￥60.165721 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥115.46