
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.658433 | ¥36.66 |
| 10 | ¥32.916583 | ¥329.17 |
| 100 | ¥26.969381 | ¥2696.94 |
| 500 | ¥22.958702 | ¥11479.35 |
| 1000 | ¥19.362727 | ¥19362.73 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 260 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 Power MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP260N055T2
型号:IXTP260N055T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.658433 |
| 10+: | ¥32.916583 |
| 100+: | ¥26.969381 |
| 500+: | ¥22.958702 |
| 1000+: | ¥19.362727 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.66