货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥44.833564 | ¥44.83 |
10 | ¥40.257251 | ¥402.57 |
100 | ¥32.983773 | ¥3298.38 |
500 | ¥28.078681 | ¥14039.34 |
1000 | ¥23.680774 | ¥23680.77 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 260 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 Power MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP260N055T2
型号:IXTP260N055T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.833564 |
10+: | ¥40.257251 |
100+: | ¥32.983773 |
500+: | ¥28.078681 |
1000+: | ¥23.680774 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.83