CSD75207W15
库存 ：7108
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.979856 | ￥7.98 |
| 10 | ￥6.944968 | ￥69.45 |
| 100 | ￥4.811604 | ￥481.16 |
| 500 | ￥4.020352 | ￥2010.18 |
| 1000 | ￥3.421488 | ￥3421.49 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 6.2 S
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 32.1 ns
典型接通延迟时间 12.8 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
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注
CSD75207W15品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF
。
CSD75207W15
型号：CSD75207W15
品牌：TI
供货：锐单
库存：7108 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.979856 |
| 10+： | ￥6.944968 |
| 100+： | ￥4.811604 |
| 500+： | ￥4.020352 |
| 1000+： | ￥3.421488 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.98