APTM120U10DAG
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- 制造商编号：
- APTM120U10DAG
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
- 渠道：
- digikey
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM120U10DAG
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
120mOhm @ 58A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
28900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3290W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
SP6
封装/外壳
SP6
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注
APTM120U10DAG品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
APTM120U10DAG
型号：APTM120U10DAG
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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