货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥221.775632 | ¥221.78 |
25 | ¥179.558702 | ¥4488.97 |
100 | ¥168.995767 | ¥16899.58 |
500 | ¥153.152236 | ¥76576.12 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 1.13 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK120N30P3
型号:IXFK120N30P3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥221.775632 |
25+: | ¥179.558702 |
100+: | ¥168.995767 |
500+: | ¥153.152236 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥221.78