DMG6601LVT-7
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- 制造商编号：
- DMG6601LVT-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.504183 | ￥1512.55 |
| 6000 | ￥0.492921 | ￥2957.53 |
| 9000 | ￥0.436613 | ￥3929.52 |
| 30000 | ￥0.430952 | ￥12928.56 |
| 75000 | ￥0.366153 | ￥27461.48 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.8 A, 2.5 A
漏源电阻 55 mOhms, 110 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV, 400 mV
栅极电荷 12.3 nC, 13.8 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.6 ns, 2.2 ns
上升时间 7.4 ns, 4.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 31.2 ns, 18.3 ns
典型接通延迟时间 1.6 ns, 1.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMG6601LVT-7 同类别型号
注
DMG6601LVT-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMG6601LVT-7
数据手册PDF
。
DMG6601LVT-7
型号：DMG6601LVT-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.504183 |
| 6000+： | ￥0.492921 |
| 9000+： | ￥0.436613 |
| 30000+： | ￥0.430952 |
| 75000+： | ￥0.366153 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00