VEC2616-TL-W
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VEC2616-TL-W
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate, 4V Drive
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A, 2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
80mOhm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
505pF @ 20V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
SOT-28FL/VEC8
VEC2616-TL-W 同类别型号
注
VEC2616-TL-W品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
VEC2616-TL-W
型号：VEC2616-TL-W
品牌：ON
供货：锐单
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