货期:(7~10天)
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.860703 | ¥4.86 |
10 | ¥3.427418 | ¥34.27 |
100 | ¥1.726174 | ¥172.62 |
500 | ¥1.530248 | ¥765.12 |
1000 | ¥1.190873 | ¥1190.87 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.8 A, 2.5 A
漏源电阻 55 mOhms, 110 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV, 400 mV
栅极电荷 12.3 nC, 13.8 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.6 ns, 2.2 ns
上升时间 7.4 ns, 4.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 31.2 ns, 18.3 ns
典型接通延迟时间 1.6 ns, 1.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG6601LVT-7
型号:DMG6601LVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥4.860703 |
10+: | ¥3.427418 |
100+: | ¥1.726174 |
500+: | ¥1.530248 |
1000+: | ¥1.190873 |
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单价:¥0.00总价:¥4.86