IPB65R660CFDAATMA1
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- 制造商编号：
- IPB65R660CFDAATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH TO263-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥14.084093 | ￥14084.09 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 594 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R660CFDA SP000875794
单位重量 4 g
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注
IPB65R660CFDAATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPB65R660CFDAATMA1
数据手册PDF
。
IPB65R660CFDAATMA1
型号：IPB65R660CFDAATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥14.084093 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00