NTZD3152PT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 430 mA

漏源电阻 900 mOhms

栅极电压 - 6 V, + 6 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 1.7 nC

耗散功率 280 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 19 ns

正向跨导（Min） 1 S

上升时间 12 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 35 ns

典型接通延迟时间 10 ns

高度 0.55 mm

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 3 mg